Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2HNK60Z — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 2 А
• Рассеиваемая мощность: 45 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 40 шт.

Прибор имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 2 А, что определяет его рабочие пределы в электрических цепях. Рассеиваемая мощность составляет 45 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 4,8 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что важно учитывать при выборе управляющих сигналов.

Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™, которая влияет на характеристики ключевых приборов. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

В упаковке находится 40 транзисторов STD2HNK60Z. Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащенного типа, что определяет принцип его работы в схемах.