Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB18NF25 — полевой транзистор с технологией STripFET™ II в корпусе D2PAK. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальное напряжение сток-исток 250 В и ток стока 12 А.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 В
• Максимально допустимый ток стока: 12 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 165 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 250 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 12 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 165 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 110 Вт.

Компонент изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет тип монтажа «Поверхностный». Корпус D2PAK. Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный).

Согласно данным магазина, импульсный ток стока (Idm) составляет 68 А, а заряд затвора — 29,3 нКл. В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.