Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4 — это полевой транзистор с каналом типа «обогащение» в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 11 А.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 11 А
- Максимальная мощность рассеивания: 45 Вт
- Корпус: D2PAK (поверхностный монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 90 мОм
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 45 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 16 В, а напряжение сток-исток — 60 В. Максимально допустимый ток стока — 11 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 90 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа. Полярность устройства — униполярная.
Канал и полярность
В наборе содержится 10 транзисторов.