IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB176D — это полупроводниковое устройство в корпусе SEMITRANS2, предназначенное для работы в электронных системах управления мощностью. Модуль имеет топологию полумоста и обеспечивает коммутацию тока до 75 А при напряжении 1700 В.

• Топология полумоста IGBT для эффективной коммутации
• Максимальное обратное напряжение 1,7 кВ
• Номинальный ток коллектора 75 А
• Импульсный ток до 150 А
• Корпус SEMITRANS2 для надежного монтажа
• Предназначен для UPS, инверторов и фотоэлектрики

Модуль построен по схеме полумоста IGBT, что позволяет эффективно управлять мощными нагрузками. Максимальное обратное напряжение составляет 1,7 кВ, а номинальный ток коллектора — 75 А. Это делает компонент пригодным для применения в инверторах и системах бесперебойного питания (UPS), где важна стабильность работы под высокой нагрузкой.

Устройство выдерживает импульсный ток коллектора до 150 А, что обеспечивает запас прочности при резких пиковых нагрузках. Напряжение управления между затвором и эмиттером составляет ±20 В, что соответствует стандартным требованиям к драйверам IGBT. Такая конфигурация упрощает интеграцию модуля в существующие схемы управления.

Модуль предназначен для винтового механического монтажа и использует коннекторы FASTON для электрического подключения. Это упрощает процесс установки и обслуживания устройства. Основные сценарии использования включают фотоэлектрику, промышленные инверторы и системы UPS, где требуется надежная коммутация высокой мощности. Структура полупроводника реализована по схеме транзистор/транзистор, что обеспечивает оптимальный баланс между скоростью коммутации и потерями мощности. Модуль изготовлен в версии D61, что гарантирует совместимость со стандартными системами охлаждения и монтажа. Благодаря конструкции корпуса SEMITRANS2, устройство выдерживает значительные механические и термические нагрузки, характерные для промышленного оборудования. Это делает его универсальным решением для инженеров, разрабатывающих мощные электронные системы.