Модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12HEB066V1. Устройство имеет максимальное напряжение 600 В и максимальный ток коллектора 40 А. Корпус: MiniSKiiP® 1.

• Максимальное напряжение: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Топология: boost chopper, однофазный и трехфазный мосты
• Монтаж: прикручивание и Press-Fit
• Применение: UPS, инверторы, фотоэлектрика

Модуль работает с максимальным обратным напряжением 0,6 кВ (600 В). Максимально допустимый ток коллектора составляет 40 А. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.

Внутренняя структура модуля включает диод, тиристор и IGBT-транзистор. Топология реализует функции boost chopper, однофазного диодно-тиристорного моста и трехфазного IGBT-моста.

Механический монтаж выполняется прикручиванием, электрический — по технологии Press-Fit. Модуль применяется в системах бесперебойного питания (UPS), инверторах и фотоэлектрических установках.