IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1 — это полупроводниковый компонент с топологией полумоста. Модель имеет номинальный ток коллектора 75 А и максимальное обратное напряжение 1200 В.

• Номинальный ток коллектора 75 А
• Импульсный ток до 200 А
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Топология: полумост IGBT
• Монтаж: болтовой или FASTON

Модуль реализует структуру «транзистор/транзистор» в топологии полумоста IGBT. Номинальный ток коллектора составляет 75 А, а импульсный ток может достигать 200 А. Максимальное обратное напряжение (Urmax) равно 1,2 кВ, что определяет границы безопасной эксплуатации компонента.

Электрическое подключение осуществляется с помощью коннекторов FASTON или болтовых соединений (винтовой монтаж). Механическая установка выполняется методом прикручивания. Максимальное напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±30 В.

Согласно данным производителя, модуль предназначен для использования в системах бесперебойного питания (UPS) и инверторах.