•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 350 А, 1,2 кВ
Характеристики и описание
Основной
| Максимально допустимый ток коллектора | 350 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | V3 62MM |
| Производитель | HUAJING |
| Технология | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3 — полупроводниковый компонент в корпусе V3 62MM с максимально допустимым током коллектора 350 А и обратным напряжением 1,2 кВ.
- Максимально допустимый ток коллектора: 350 А
- Обратное напряжение: 1,2 кВ
- Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
- Корпус: V3 62MM
- Технология: PT
- Монтаж: коннекторы FASTON, винтовое крепление
Модуль работает с обратным напряжением до 1,2 кВ и выдерживает максимальный ток коллектора 350 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В. Технология изготовления — PT.
Конструкция и монтажСтруктура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор» в топологии полумоста IGBT. Электрический монтаж выполняется с помощью коннекторов FASTON и винтового крепления. Механическое крепление модуля также осуществляется винтовым креплением.
Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 350 А, 1,2 кВ
В наличии
8 230 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат