IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1 — полупроводниковый компонент в корпусе V1 с максимально допустимым током коллектора 100 А и напряжением 1,2 кВ.

• Максимально допустимый ток коллектора: 100 А
• Максимальное напряжение: 1,2 кВ
• Топология: полумост IGBT
• Корпус: V1
• Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В

Модуль работает с напряжением до 1,2 кВ (Urmax) и выдерживает ток коллектора до 100 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В. Технология изготовления — PT.

Компонент имеет топологию полумоста IGBT и структуру «транзистор/транзистор». Механическое крепление — винтовое. Электрическое соединение осуществляется через коннекторы FASTON или винтовое крепление.