Биполярный транзистор STMicroelectronics BU508AW типа NPN в корпусе TO247-3. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 700 В, максимальный ток коллектора — 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт.

• Тип транзистора: биполярный NPN
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 700 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 8 А
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO247-3, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор является биполярным компонентом структуры NPN. Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) равно 700 В, что определяет верхнюю границу рабочего напряжения. Максимально допустимый постоянный ток коллектора (IC) составляет 8 А.

Компонент выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает пайку в отверстия печатной платы.

В комплекте поставки содержится 10 единиц транзисторов BU508AW.