Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247-4.## Комплектация
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 75 А (300 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 405 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
- Интегрированный диод SiC SBD
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и постоянным током коллектора 75 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 300 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 405 Вт.
Технология и быстродействие
Прибор изготовлен по технологиям Field Stop, Trench и имеет интегрированный диод SiC SBD. Время запирания (включения) равно 84 нс, а время отпирания (выключения) — 565 нс.
Монтаж и корпус
В упаковке находится 2 транзистора.