IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 в корпусе TO247-3 со встроенным диодом Шоттки на карбиде кремния (SiC SBD). Комплект состоит из 2 штук, предназначенных для монтажа на плату (THT).

• Ток коллектора 50 А, импульсный до 200 А
• Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
• Рассеиваемая мощность 357 Вт
• Встроенный диод SiC SBD
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект из 2 транзисторов

Транзистор рассчитан на постоянный ток коллектора 50 А и импульсный ток до 200 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер равно 650 В, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Используется технология Field Stop и Trench. Встроенный антипараллельный диод на SiC SBD.

Время включения транзистора составляет 54 нс, а время выключения — 256 нс. Заряд затвора равен 308 нКл.

В комплекте поставляются 2 транзистора в корпусе TO247-3 с выводами для навесного монтажа (THT).