Биполярный транзистор ONSEMI BD681G типа NPN со схемой Дарлингтона. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 100 В, максимальный ток коллектора — 4 А.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 4 А
- Максимальная мощность рассеивания: 40 Вт
- Корпус: TO225, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и максимальный ток коллектора 4 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 40 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в составе электронных схем.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO225. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает установку в отверстия печатной платы.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.