Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC — это силовой N-MOSFET на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Прибор рассчитан на напряжение 1,2 кВ и постоянный ток 27 А.

• Тип: N-MOSFET на основе SiC
• Напряжение сток-исток: 1200 В
• Ток стока: 27 А (импульсный 80 А)
• Рассеиваемая мощность: 241 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 80 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком до 1,2 кВ. Номинальный ток стока составляет 27 А, а импульсный ток может достигать 80 А.

Рассеиваемая мощность равна 241 Вт. Это определяет тепловой режим работы компонента под нагрузкой.

Использование технологии SiC (карбид кремния) обеспечивает сопротивление в открытом состоянии 80 мОм. Это снижает потери мощности в открытом состоянии.

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Монтаж выполняется методом THT в корпусе TO247-3.