Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT89. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 7 А
- Мощность рассеивания: 1,3 Вт
- Корпус: SOT89, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 7 А. Мощность рассеивания составляет 1,3 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 200...560.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в компактном корпусе SOT89, что обеспечивает удобство автоматизированного поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рабочая частота транзистора составляет 290 МГц.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E подходит для инженеров и радиолюбителей, которые нуждаются в надежных компонентах для сборки электронных схем с заданными параметрами тока и напряжения.