C3M0025065K-HXY — это транзистор SiC MOSFET с N-канальной конфигурацией. Он предназначен для высоковольтных приложений с напряжением пробоя сток-исток 650 В и постоянным током стока 99 А.

• Канал: N-CH
• Напряжение пробоя сток-исток (V dss): 650 В
• Постоянный ток стока (I d): 99 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R ds): 26 мОм
• Корпус: TO-247-4L

Внимание: для некоторых товаров может потребоваться 100% предоплата на счёт продавца до отправки заказа. Пожалуйста, уточните это у менеджера перед оформлением заказа.