•
•
•
•
•
•
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Vishay Intertechnology |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 3 V |
| Артикул | 00-00053004 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8 ns, 35 ns |
| Время спада | 12 ns, 16 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual Dual Drain |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Рабочая температура | -55...150 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | SOIC-8 |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns, 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 42 ns |
| Ток стока | -8 A |
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
В наличии
312 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат