•
•
•
•
•
•
SI7997DP-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 60 А, 0.0045 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Vishay Intertechnology |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 46 W |
| Qg - заряд затвора | 106 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Артикул | 00-00065305 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
SI7997DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 60 А, 0.0045 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
SI7997DP-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 60 А, 0.0045 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
В наличии
254 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат