Поиск
Нажмите найти для поиска
Bigl.ua
•
Все категории
•
Электрооборудование
•
Электронные компоненты
•
Активные компоненты
•
Транзисторы
•
RFP70N06 МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
Характеристики и описание
Основной
Производитель
ON Semiconductor
Дополнительные характеристики
Состояние
Новое
Пользовательские характеристики
Id - непрерывный ток утечки
70 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Артикул
00-00031147
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
137 ns
Время спада
24 ns
Высота
16.3 mm
Длина
10.67 mm
Другие названия товара №
RFP70N06_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Корпус
TO-220-3
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
RFP70N06
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
32 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Ширина
4.7 mm
RFP70N06 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
RFP70N06 МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
В наличии
Код:
00-00031147
154
₴
Купить
Купить сейчас
Безопасная оплата
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
4.8
Отзывы о продавце
График работы
Товары продавца
Защита покупки до 5 000 грн
Способы оплаты
Безопасная оплата
Как наложенный платеж, только без переплат
Вернем деньги, если что-то пойдет не так
Bigl гарантирует безопасность
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Пром-оплата
Смотреть все
Способы доставки
Нова Пошта
—
от 70 грн
Укрпошта
—
от 39 грн
Смотреть все
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Подробнее
Другие товары продавца
EP1K50TC144-3N FPGA - [TQFP-144]: Семейство: ACEX-1K: Ячеек: 2880: Регистров: 2880: Задержка: 6.6 нс: I/O: 102: Uпит: 2.375...3.6
5 534
₴
MBI5039GP-B Светодиодный драйвер MBI 5039 - 16 каналов
324
₴
NCEP039N10M MOSFET, 220 W, 100 V, 135 A, TO220
70
₴
DLV-400-M3.0 Дроссель: проволочный, помехоподавляющий: 40мкГн: 3А: 60мОм
107
₴
SRP7028A-3R3M Катушки постоянной индуктивности 3,3 мкГн. 20% SMD. Магнитное экранирование
232
₴
Смотрите также
Транзистор 10n60
Mosfet n канал 0в 10а st stp10nkzfp to220f
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Igbt 410в 10а stm stgb10nb37lz d2pak
Транзисторы
Irf3205
Ту 160
Irfz44n
Транзистор irf840
Irf 840
Объявлений
Igbt модуль
Транзистор 10n60
Mosfet n канал 0в 10а st stp10nkzfp to220f
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Igbt 410в 10а stm stgb10nb37lz d2pak
Транзисторы
Irf3205
Ту 160
Irfz44n
Транзистор irf840
Irf 840
Объявлений
Igbt модуль
Новинки в категории транзисторы
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
AOT5N100 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 2,5А, 195Вт, TO...
IRGP4640DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: ...
Транзистор AOP605
IRL3713PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: U...
Транзистор CJD02N60 TO-251-3L
IGB10N60T IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В
Транзистор HYG006N04LS1TA
VTT1115H Фототранзистор, 100В, 15°, 400-1050нм
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0...
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
AOT5N100 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 2,5А, 195Вт, TO...
IRGP4640DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: ...
Транзистор AOP605
IRL3713PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: U...
Транзистор CJD02N60 TO-251-3L
IGB10N60T IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В
Транзистор HYG006N04LS1TA
VTT1115H Фототранзистор, 100В, 15°, 400-1050нм
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0...
Чат