•
•
•
•
•
•
2N5210 NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage:
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Samsung |
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00068920 |
| Граничная частота _x000D_ коэффициента передачи тока | 30 МГц |
| Корпус | TO-92 |
| Коэффициент усиления _x000D_ транзистора по току (hfe) | от 200 до 600 |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база, не более | 50 В |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер, не более | 50 В |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база, не более | 5 V |
| Рассеиваемая _x000D_ мощность коллектора, не более | 0.625 Вт |
| Структура | - n-p-n |
| Ток коллектора, не _x000D_ более | 0.1 А |
2N5210 Транзистор биполярный
NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV. Maximum DC Collector Current: 50 mA. 350 mW. Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
2N5210 NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage:
В наличии
87.5 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории диоды
Чат