•
•
•
•
•
•
IGBT-транзистор, 650 В, 80 А, 536 Вт, корпус TO-247
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Infineon |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| EAN/GTIN | 9900003872691 |
| Ic | 75 А |
| Icpuls | 300 A |
| Ptot | 536 В |
| RoHS | соответствовать |
| Uceo | 650 V |
| Uge(th) | 20 V |
| td (off) | 275 |
| td (on) | 40 |
| Вес | 0,006 кг |
| Дизайн | быстрый и мягкий антипараллельный диод |
| Идентификатор производителя | IKW75N65EL5XKSA1 |
| Ик25 | 80 A |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Технология | ТРЕНЧСТОП 5 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Форма монтажа | ТО-247 |
Нове сімейство L5 IGBT від Infineon з низькою напругою насичення (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT спеціально оптимізовано для низьких частот комутації в діапазоні від 50 Гц до 20 кГц. Оптимізація профілю носіїв інноваційної технології тонких пластин TRENCHSTOP™ 5 товщиною 55 мкм дозволяє зменшити втрати провідності до суттєво низького рівня - 1,05 В для IGBT 30 А та 1,10 В для IGBT 75 А.
Огляд функцій
- Найнижча напруга насичення V CE(sat) лише 1,05 В
- Низькі втрати на перемикання 1,6 мДж при 25°C для IGBT 30A
- Висока термостабільність електричних параметрів - дрейф лише 2% при збільшенні T j від 25°C до 175°C
Переваги
- Вища ефективність для 50 Гц
- Довший термін служби та вища надійність IGBT
- Висока надійність конструкції завдяки стабільним тепловим властивостям
| Генерал | |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Дизайн | швидкий та м'який антипаралельний діод |
| Технологія | ТРЕНЧСТОП 5 |
| Форма кріплення | ТО-247 |
| Електричні показники | |
| Уцео | 650 В |
| Ік | 75 A |
| Загальна кількість | 536 Вт |
| тд (увімкнено) | 40 |
| тд (вимкнено) | 275 |
| Ікпулс | 300 A |
| Уге(й) | 20 V |
| Ік25 | 80 A |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
IGBT-транзистор, 650 В, 80 А, 536 Вт, корпус TO-247
Под заказ, 7 дней
529 ₴
Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат