С превосходной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения. Увеличивая скорость, емкость и надежность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC), обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге, Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня, при котором идеально сочетаются стиль и производительность. Кроме того, Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон. Память линейки Kingston FURY Impact DDR5 обеспечена ограниченной пожизненной гарантией и легендарной надежностью Kingston. Особенности Kingston FURY Impact DDR5 • Более высокая производительность: При начальной скорости передачи данных 4800 МТ/с, память DDR5 на 50% быстрее, чем популярная DDR4-3200. • Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях. • Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона. • Ниже энергопотребление, выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В. • Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.