Коротко:
IRF100B201 – мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для работы в высокоструктурных силовых схемах. Используется в инвертрорах, источниках питания, системах управления двигателями, преобразователях напряжения и промышленной электронике.

ЕЛЕКТРИЧНІ ПАРАМЕТРИ:
• Тип: N-Channel MOSFET
• Модель: IRF100B201
• Максимальное напряжение стик-вилка (VDS): 100V
• Максимальный ток стока (ID): 192A (при 25°C)
• Максимальное напряжение затвор-выток (VGS): ±20V
• Сопротивление открытого канала RDS(on): ≤5,3 мΩ
• Напряжение открывания VGS(th): приблизительно 2-4V
• Мощность рассеивания PD: до 300W
• Заряд затвора Qg: около 150–220 нКл
• Рабочая температура перехода: -55...+175°C

ФУНКЦИОНАЛ:
• Коммутация силовых нагрузок
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Высокоточные источники питания

МЕХАНІЧНІ ПАРАМЕТРИ:
• Тип корпуса: TO-220
• Количество выводов: 3
• Монтаж: THT (в отвори)
• Материал корпуса: пластик с металлической пластиной охлаждения

РОЗПІНОВКА:
• 1 — Gate (затвор)
• 2 - Drain (стек)
• 3 - Source (выток)

ОСОБЛИВОСТІ:
• Очень низкий RDS(on)
• Высокая токовая погрузочная способность
• Быстрое переключения
• Подходит для высокомощных схем
• Высокая тепловая стойкость

ПЕРЕВАГИ:
• Минимальные потери мощности
• Работа с большими токами
• Надежность в силовых применениях
• Простое управление
• Совместимость с распространенными драйверами MOSFET

АНАЛОГИ:
• IRFB4110
• IRFB3077
• STP100NF10
• HY4008
• IPT007N06N
(перед заменой проверить распиновку, RDS(on), VGS и допустимый ток)

ВИСНОВОК:
IRF100B201 — высокоточный N-канальный MOSFET на 100V и к 192A в корпусе TO-220, который подходит для мощных инверторов, преобразователей и силовых систем с высокими требованиями к эффективности.