•
•
•
•
•
•
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00076412 |
| Время нарастания _x000D_ типовое | 17 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 106 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 190 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 60 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.7 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 132 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
NCE30TD60BD Транзистор IGBT
IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
В наличии
419 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат