Характеристики: • Наименование прибора: SPW35N60CFD • Тип транзистора: MOSFET • Полярность: N • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.1 A • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C • Общий заряд затвора (Qg): 163 nC • Время нарастания (tr): 25 ns • Выходная емкость (Cd): 1400 pf • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.118 Ohm • Тип корпуса: TO247