Поиск
Нажмите найти для поиска
Bigl.ua
•
Все категории
•
Электрооборудование
•
Электронные компоненты
•
Активные компоненты
•
Транзисторы
•
CSD18536KCS МОП-транзистор 60-V, N channel NexFET power МОП-транзистор, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Характеристики и описание
Основной
Производитель
TI
Дополнительные характеристики
Состояние
Новое
Пользовательские характеристики
Id - непрерывный ток _x000D_ утечки
349 A
Pd - рассеивание _x000D_ мощности
375 W
Qg - заряд затвора
108 nC
Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток
1.6 mOhms
Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток
60 V
Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток
- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток
1.4 V
Артикул
00-00072636
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая _x000D_ температура
+ 175 C
Минимальная рабочая _x000D_ температура
- 55 C
Полярность _x000D_ транзистора
N-Channel
CSD18536KCS Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор 60-V, N channel NexFET power МОП-транзистор, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
CSD18536KCS МОП-транзистор 60-V, N channel NexFET power МОП-транзистор, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
В наличии
Код:
00-00072636
712
₴
Купить
Купить сейчас
Безопасная оплата
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
4.8
Отзывы о продавце
График работы
Товары продавца
Защита покупки до 5 000 грн
Способы оплаты
Безопасная оплата
Как наложенный платеж, только без переплат
Вернем деньги, если что-то пойдет не так
Bigl гарантирует безопасность
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Смотреть все
Способы доставки
Нова Пошта
—
от 70 грн
Укрпошта
—
от 39 грн
Смотреть все
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Подробнее
Другие товары продавца
PCA82C251T/YM.118 Тип CAN Controller, Раб напряжение 4.5 V to 5.5 V, Траб - 40 C ... + 125 С
199
₴
TOP243GN-TL IC: PMIC, AC/DC switcher,контроллер SMPS, 61,5...140кГц, SMD-8B
270
₴
TIP147T Биполярный транзистор - TO-220-3, Тип: PNP, UКЭ(макс): 100 В, IК(макс): 10 А, Pрасс: 125 Вт, h21: от 500
104
₴
IRF7853PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Rси(вкл): 18 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 28 нКл
128
₴
FQPF15P12 Силовой МОП-транзистор, P Канал, 120 В, 15 А, 0.17 Ом
154
₴
Смотрите также
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзисторы
Channel
Igbt транзистор
Irf3205
Кт3102
Кт 808а
Tip41c
Irf640
Irf 840
Mom 50
Мп 40 транзистор
Igbt модуль
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзисторы
Channel
Igbt транзистор
Irf3205
Кт3102
Кт 808а
Tip41c
Irf640
Irf 840
Mom 50
Мп 40 транзистор
Igbt модуль
Новинки в категории транзисторы
Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 2N7000, 60В, 0,2А, TO...
Транзистор ONSEMI MJD45H11T4G, PNP, 80В, 8А, DPAK (комплект ...
Транзистор WAYON WMS12P03T1 P-MOSFET, 3 Вт, корпус SOP8 (WMS...
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM020N10HGS, 100 В, 280 А, TO263 ...
Транзистор VISHAY VO0631T, SMD, 2 канала, 10 Мбит/с, 6 кВ — ...
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (ко...
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP, 60В, 35А...
Транзистор NPN Nexperia BC847CW,115, SOT323, 45В, 0,1А (комп...
Транзистор NPN ONSEMI BC817-40WT1G, SOT323, 45В, 0,5А (набор...
Транзистор ON Semiconductor MJD340T4G NPN, 300В, 0,5А, DPAK ...
Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 2N7000, 60В, 0,2А, TO...
Транзистор ONSEMI MJD45H11T4G, PNP, 80В, 8А, DPAK (комплект ...
Транзистор WAYON WMS12P03T1 P-MOSFET, 3 Вт, корпус SOP8 (WMS...
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM020N10HGS, 100 В, 280 А, TO263 ...
Транзистор VISHAY VO0631T, SMD, 2 канала, 10 Мбит/с, 6 кВ — ...
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (ко...
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP, 60В, 35А...
Транзистор NPN Nexperia BC847CW,115, SOT323, 45В, 0,1А (комп...
Транзистор NPN ONSEMI BC817-40WT1G, SOT323, 45В, 0,5А (набор...
Транзистор ON Semiconductor MJD340T4G NPN, 300В, 0,5А, DPAK ...
Чат