Завантажити застосунок Bigl для android
Нажмите найти для поиска
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительVishay Intertechnology

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Pd - рассеивание мощности2.5 W
Qg - заряд затвора32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Артикул00-00053004
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания8 ns, 35 ns
Время спада12 ns, 16 ns
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
КонфигурацияDual Dual Drain
Полярность транзистораP-Channel
Рабочая температура-55...150 C
ТехнологияSi
Тип корпусаSOIC-8
Типичное время задержки выключения45 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении10 ns, 42 ns
Ток стока-8 A
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8

SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8

В наличии
Код: 00-00053004
302 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат