•
•
•
•
•
•
NCE20TD60B IGBT + Diode, 135W, 30V, 40A, 1.7V, TO220
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00075402 |
| Время нарастания _x000D_ типовое (tr), nS | 16 |
| Емкость коллектора _x000D_ типовая (Cc), pf | 48 |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность (Pc), W | 135 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода (Tj), ℃ | 150 |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V | 30 |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V | 6 |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A | 40 |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V | 1.7 |
| Общий заряд затвора _x000D_ (Qg), typ, nC | 97 |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V | 600 |
| Тип корпуса | TO220 |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
NCE20TD60B Транзистор IGBT
IGBT + Diode, 135W, 30V, 40A, 1.7V, TO220
NCE20TD60B IGBT + Diode, 135W, 30V, 40A, 1.7V, TO220
В наличии
110 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат