promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V
BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительNXP Semiconductors

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00071800
Вид монтажаSMD/SMT
Коэффициент усиления _x000D_ по постоянному току (hFE), макс.555
Напряжение _x000D_ коллектор-база (VCBO)10 V
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс.2.8 V
Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO)1 V
Непрерывный _x000D_ коллекторный ток5 mA
Рабочая частота55 GHz
ТехнологияSiGe
Тип транзистораBipolar
BFU730F,115 Биполярный ВЧ транзистор
RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V

BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V

В наличии
Код: 00-00071800
47.5 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат