promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительVishay Intertechnology

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Id - непрерывный ток утечки- 4.4 A
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Qg - заряд затвора13.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток64 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 40 V
Артикул00-00051187
Вид монтажаSMD/SMT
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.10 S
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Полярность транзистораP-Channel
Тип корпумаSOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В

SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В

В наличии
Код: 00-00051187
38.75 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат