•
•
•
•
•
•
SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 8V Vgs
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Vishay Intertechnology |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Артикул | 00-00068950 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
SI2302DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET 20V Vds 8V Vgs
SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 8V Vgs
В наличии
18.75 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат