КП302Б1
Транзистори КП302Б1 кремнієві планрні з каналом n-типу, з дифузійним закривом, підсилювальні.
Призначені для застосування в малошумальних касках посилення, у перемикальних пристроях і в комутаторах із високим вхідним опором на частотах до 150 МГц.
Використовуються в електронній апаратурі загального призначення.
Транзистори випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-26 (TO-92).
Кліматичне виготовлення: «УХЛ», категорія розміщення «2.1».
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
- приймання «1» — АА0.336.744ТУ.
Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 10 років із моменту виготовлення.
КП302А1, КП302Б1, КП302В1, КП302Г1:
| Тип польового транзизора |
Р МАКС | f МАКС | Граничні значення параметрів за Т = 25 °C | Значення параметрів за Т = 25 °C | Т ОКР | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСІ МАКС | UЗС МАКС | UЗІ МАКС | IС МАКС | UЗІ ВІДС | g22И | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | КШ | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | мКСм | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | °С | |
| КП302А1 | 300 | 150 | 20 | 20 | 10 | 24 | <5 | - | <10 | >5 | 3…24 | <20 | <8 | <3 | -60…+100 |
| КП302Б1 | 300 | 150 | 20 | 20 | 10 | 43 | <7 | - | <10 | >7 | 18…43 | <20 | <8 | - | -60…+100 |
| КП302В1 | 300 | 150 | 20 | 20 | 12 | - | <10 | - | <10 | - | >33 | <20 | <8 | - | -60…+100 |
| КП302Г1 | 300 | 150 | 20 | 20 | 10 | - | <7 | - | <10 | >7 | 15…65 | <20 | <8 | - | -60…+100 |
Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСІ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
КП302Б1
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность