2SB1203 — это высокоэффективный кремниевый биполярный транзистор структуры P-N-P. Его главной технической особенностью является экстремально низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер. Это означает, что в открытом состоянии транзистор работает с минимальными потерями мощности, почти не нагреваясь при коммутации токов до 5 Ампер.

Транзистор выполнен в компактном корпусе TO-251 (IPAK), который предназначен для вертикального монтажа в плату и обеспечивает хороший теплоотвод при небольших габаритах. Он часто применяется в выходных каскадах усилителей, схемах управления лампами, вспышках и в качестве силового ключа в импульсных регуляторах.

Основные преимущества:

• Низкое напряжение насыщения: Обеспечивает высокий КПД и позволяет использовать транзистор в портативных устройствах с батарейным питанием.

• Высокий ток: Номинальный ток 5А (и до 8А в импульсе) позволяет управлять мощными нагрузками.

• Высокое усиление (hFE): Отличная линейность коэффициента усиления упрощает проектирование схем.

• Быстродействие: Малое время переключения позволяет использовать его в ШИМ-схемах.

• Компактный корпус TO-251: Удобен для плотного монтажа, когда место на плате ограничено.

Технические характеристики:

• Структура: P-N-P

• Максимальное напряжение коллектор-база: 60 В

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В

• Максимальный ток коллектора: 5 А (постоянный) / 8 А (импульсный)

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: тип. 0.17 В (при Ic=3A)

• Мощность рассеивания (с радиатором): 15 Вт

• Тип корпуса: TO-251 (IPAK)

• Состояние: Новое