N-Channel MOSFET VDSS=150V RDS(on) max=5.9mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=171A

Корпус	TO247
Структура	N
Схема соединения	Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	171 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C	121 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V	4.8 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	3 ... 5 V
Мощность рассеяния при 25°C	517 Вт