Модуль памяти FRAM с микросхемой MB85RC256V емкостью 32 КБ. Он питается напряжением от 2,7 до 5,5 В и взаимодействует через интерфейс I2C.

FRAM (ферроэлектрическая память с произвольным доступом) — энергонезависимая память с произвольным доступом. Сохраняет данные после отключения питания и позволяет адресовать, записывать и считывать отдельные слова (возможность изменять части памяти без необходимости очистки целых блоков, как в случае флэш-памяти). Память FRAM характеризуется очень низким энергопотреблением, высокой скоростью записи и длительным сроком службы.

• Емкость: 32 кБ
• Интерфейс I2C (адрес 0x50)
• Рабочая частота: 1 МГц (макс.)
• Количество циклов записи: 10 триллионов раз
• Срок хранения данных: до 200 лет
• Напряжение питания: от 2,7 до 5,5 В
• Потребляемый ток: 27 мкА
• Размеры: 15,5 x 20 x 2 мм

• Модуль памяти FRAM
• 8-контактный разъем с золотым штифтом