•
•
•
•
•
•
Транзистор HY5012W 100В 120А, N-канальный, низкий Rds(on), TO-220
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | HUAYI |
HY5012W - N-канальный MOSFET 125В, 300А, 2,9 мОм (TO-247)
HY5012W – мощный N-канальный MOSFET производства HOOYI Semiconductor. Суфикс W соответствует корпусу TO-247-3L. Предназначен для инверторных систем управления питанием. Манящая устойчивость, RoHS, Lead-Free.
| Параметр | Значение |
| Напряжение сток-вилка (VDSS) | 125 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), тип. / макс. | 2,9 / 3,6 мОм (VGS=10В, IDS=150А) |
| Постоянный ток стока (TC=25°C / 100°C) | 300 А / 196 А |
| Импульсный ток стока (IDM) | 1100 А |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2 — 4 В |
| Рассеиваемая мощность (PD, TC=25°C / 100°C) | 500 / 250 Вт |
| Манящая энергия (EAS), одиночный импульс | 2000 мДж |
| Общий заряд затвора (Qg) | 352 нКл (тип.) |
| Входная емкость (Ciss) | 16300 пФ (тип.) |
| Время включения / выключения (td(on) / td(off)) | 55 / 122 нс (тип.) |
| Прямое напряжение тела диода (VSD), макс. | 1,3 В (ISD=150А) |
| Время восстановления диода (trr) | 70 нс (тип.) |
| Термическое сопротивление корпус-кристалл (RθJC) | 0,3 °C/Вт |
| Диапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-247-3L |
| Производитель | HOOYI Semiconductor |
Транзистор HY5012W 100В 120А, N-канальный, низкий Rds(on), TO-220
Готово к отправке
99 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — Бесплатно при условии
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістюДругие товары продавца
Подобные товары других продавцов
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат