KIA2910A – мощный N-канальный MOSFET производства KIA Semiconductors со сверхвысокой плотностью ячеек и сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии. Предназначен для синхронного выпрямления в SMPS и высокоскоростных схем коммутации. 100% тестирование на лавинную пробу. Доступен в корпусах TO-220, TO-263, TO-3P. RoHS.
| Параметр |
Значение |
| Напряжение сток-вилка (VDSS) |
100 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), тип. / макс. |
7,0 / 9,0 мОм (VGS=10В, ID=70А) |
| Постоянный ток стока (TC=25°C / 100°C) |
130А / 99А |
| Импульсный ток стока (IDP) |
560 А |
| Напруга затвор-витік (VGSS) |
±25 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) |
2,0 — 4,0 В |
| Рассеиваемая мощность (TO-220, TC=25°C) |
300 Вт |
| Рассеиваемая мощность (TO-3P, TC=25°C) |
375 Вт |
| Манящая энергия (EAS), одиночный импульс |
552 мДж |
| Общий заряд затвора (Qg) |
130 нКл (тип.) |
| Входная емкость (Ciss) |
6800 пФ (тип.) |
| Время включения / выключения (Td(on) / Td(off)) |
24 / 75 нс (тип.) |
| Прямое напряжение тела диода (VSD), макс. |
1,2 В (IS=70А) |
| Время восстановления диода (trr) |
43 нс (тип.) |
| Термическое сопротивление корпус-кристалл (пишемJC) |
0,5 °C/Вт |
| Диапазон температур (TJ) |
−55 … +175 °C |
| Корпус |
TO-220 / TO-263 / TO-3P |
| Производитель |
KIA Semiconductors |