SPP20N60C3 - N-канальный силовой MOSFET производства Infineon Technology серии CoolMOS C3. Выполнен по революционной высоковольтной технологии с лучшим в классе TO-220 значением RDS(on). Отмечается чрезвычайно низким зарядом затвора, устойчивостью к лавинному пробу и экстремальными показателями dv/dt. Предназначен для высоковольтных импульсных источников питания и преобразователей. Корпус PG-TO220, соответствует RoHS.
| Тип транзистора |
N-канальный MOSFET (CoolMOS C3) |
| Напряжение стик-вилка VDS (при Tjmax) |
650 В |
| Напряжение пробоя V(BR)DSS (min) |
500 В |
| Ток стока ID непрерывный |
20,7 А (при TC=25°C) / 13,1 А (при TC=100°C) |
| Импульсный ток стока ID puls |
62,1 А |
| Напряжение затвор-вилка VGS |
±20 В (DC) / ±30 В (AC, f>1Гц) |
| Сопротивление в открытом состоянии RDS(on) (typ) |
0,19 Ом (при VGS=10В, ID=13,1А, T=25°C) |
| Порогова напруга затвора VGS(th) |
2,0 — 4,0 В (typ 3,0 В) |
| Крутость gfs |
17,5 S (typ) |
| Входная емкость Ciss |
2400 пФ |
| Выходная емкость Coss |
780 пФ |
| Обратная передаточная емкость Crss |
50 пФ |
| Заряд затвора Qg (typ/max) |
87 / 114 нКл |
| Заряд затвор-стук Qgd |
33 нКл |
| Время включения td(on) / tr |
10 нс / 5 нс |
| Время выключения td(off) / tf |
67 / 100 нс (max) / 4,5 / 12 нс (max) |
| Энергия одиночной лавинной пробой EAS |
690 мДж |
| Прямое падение напряжения диода VSD (max) |
1,2 В |
| Время обратного восстановления диода trr |
390 нс |
| Заряд обратного восстановления Qrr |
8 мкКл |
| Рассеиваемая мощность Ptot |
208 Вт (при TC=25°C) |
| Теплоопор переход корпус RthJC |
0,6 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур |
-55 ... +150 °C |
| Корпус |
PG-TO220 |
| Стандарт |
RoHS, Pb-Free |