XNF20N60T — IGBT-транзистор производства Shenzhen Invsemi (торговая марка Xiner), выполненный по технологии Trench+FS (Field Stop). Предназначен для применения в инверторах общего назначения, системах управления двигателями и интеллектуальных силовых модулях. Корпус TO-220F, без свинца (Pb-Free).
| Тип транзистора |
IGBT (Trench + Field Stop) |
| Напряжение коллектор-эмиттер V(BR)CES |
600 В |
| Ток коллектора IC |
20 А |
| Напряжение насыщения VCE(sat) (typ) |
1,7 В (при VGE=15В, IC=20А, T=25°C) |
| Напряжение насыщения VCE(sat) (max) |
1,95 В (при T=25°C) |
| Напряжение насыщения VCE(sat) при T=125°C (typ) |
1,95 В |
| Порогова напруга затвора VGE(th) |
4,0 — 6,5 В (typ 5,2 В) |
| Прямое падение напряжения диода VF (typ) |
1,8 В (при IF=20А) |
| Прямое падение напряжения диода VF (max) |
2,3 В |
| Ток утечки затвор-эмитер IGES (max) |
±200 нА (при VGE=±30В) |
| Ток утечки коллектора ICES ( |