КР504НТ2В DIP8 збірка з двох ідентичних польових транзисторів з p-n переходом та n-каналом
Характеристики и описание
Основной
Производитель
Primera
Материал корпуса
Пластик
Тип корпуса
DIP
Тип микросхемы
Операционный усилитель
Тип операционного усилителя
Дифференциальный
Пользовательские характеристики
Техническое описание
скачать PDF в спецификации
Мікросхема КР504НТ2В — це класика радянської напівпровідникової електроніки, яка досі цінується за стабільність характеристик.
Мікросхема КР504НТ2В — Опис та технічні характеристики
КР504НТ2В — це інтегральна мікросхема, що являє собою збірку з двох ідентичних польових транзисторів з p-n переходом та n-каналом, розміщених в одному корпусі.
Головна особливість цієї серії — ідентичність параметрів обох транзисторів, що робить її ідеальним вибором для диференціальних підсилювачів та пристроїв з високим вхідним опором.
Функціональне призначення
Мікросхема призначена для використання у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, диференціальних та операційних підсилювачах, а також у схемах комутації малих сигналів.
Технічні параметри (Граничні значення):
Максимальна напруга стік-витік: 30 В.
Максимальна напруга стік-затвор: 30 В.
Максимальна напруга затвор-витік: 30 В.
Струм стоку: до 10 мА.
Максимальна потужність розсіювання: 150 мВт (на один транзистор).
Діапазон робочих температур: від -45°C до +85°C.
Тип корпусу: Пластиковий DIP-8 (2101.8-1).
Ключові переваги:
Узгодженість характеристик: Мінімальний розкид параметрів між парою транзисторів забезпечує низький дрейф «нуля» у вимірювальній техніці.
Високий вхідний опір: Завдяки польовій структурі, мікросхема практично не навантажує джерело вхідного сигналу.
Малий рівень шумів: Оптимально підходить для високочутливих аналогових трактів.
Універсальність: Завдяки DIP-корпусу легко монтується на плату або в сокет для тестування.