DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GBLTU160N02) - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. Модуль памяти имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.