Биполярный транзистор NPN S8550. Характеристики:

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
• Максимальное допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмитер (Uce): 25 V
• Максимально допустимое напряжение эмитер-база (Ueb): 5 V
• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
• Предельная температура перехода PN (Tj): 150 °C
• Предельная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 МГц
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
• Корпус транзистора: TO92