IRFZ24N — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET), изготовленный по технологии HEXFET. Он отличается крайне низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения. Благодаря своей надежности и отличным динамическим характеристикам, этот транзистор стал стандартом для широкого спектра коммерческих и промышленных приложений.

Корпус TO-220 позволяет легко закрепить транзистор на радиаторе, что необходимо при работе с высокими токами до 17 Ампер. Низкое пороговое напряжение затвора делает его удобным для использования в схемах с логическими уровнями управления.

Технические характеристики:

• Маркировка: IRFZ24N

• Тип транзистора: N-канальный полевой (MOSFET)

• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 55 В

• Максимальный ток стока (Id): 17 А (при 25 C)

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds on): 0.07 Ом

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 Вт

• Заряд затвора (Qg): 20 нКл

• Тип корпуса: TO-220

• Тип монтажа: Выводной (в отверстия)

• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175°C