FGD4536 — это современный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально разработанный для работы в условиях быстрого переключения больших токов. Благодаря технологии PDP Trench, он сочетает низкое напряжение насыщения ( уменьшает нагрев) и высокую скорость реакции.
Корпус DPAK (TO-252) обеспечивает компактность устройства и позволяет эффективно отводить тепло через печатную плату. Это делает его идеальным выбором для ремонта современной электроники, где каждый миллиметр пространства на счету.
Основные сферы применения:
-
Плазменные телевизоры (PDP): Управление разрядом в модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).
-
Импульсные преобразователи: Силовые узлы блоков питания.
-
Управление двигателями: Драйверы компактных электроприводов.
-
Системы зажигания: Формирование высоковольтных импульсов.
Ключевые преимущества:
-
Высокий импульсный ток: Способность выдерживать кратковременные всплески до 220A.
-
Эффективное охлаждение: Металлический фланец корпуса DPAK припаивается прямо к плате.
-
Низкое напряжение насыщения: Минимальные энергопотери в открытом состоянии.
-
Стойкость к высоким температурам: Стабильная работа при нагревании кристалла.
Технические характеристики
-
Тип устройства: IGBT (N-channel).
-
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 360V.
-
Постоянный ток коллектора (Ic): 50A (при температуре корпуса 25 градусов).
-
Импульсный ток коллектора (Icp): до 220A.
-
Напряжение затвор-эмиттер (Vges): от -30V до +30V.
-
Тип корпуса: TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа (SMD).
-
Максимальная температура перехода: 150 градусов.