FGD4536 — это современный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально разработанный для работы в условиях быстрого переключения больших токов. Благодаря технологии PDP Trench, он сочетает низкое напряжение насыщения ( уменьшает нагрев) и высокую скорость реакции.

Корпус DPAK (TO-252) обеспечивает компактность устройства и позволяет эффективно отводить тепло через печатную плату. Это делает его идеальным выбором для ремонта современной электроники, где каждый миллиметр пространства на счету.

Основные сферы применения:

• Плазменные телевизоры (PDP): Управление разрядом в модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).

• Импульсные преобразователи: Силовые узлы блоков питания.

• Управление двигателями: Драйверы компактных электроприводов.

• Системы зажигания: Формирование высоковольтных импульсов.

Ключевые преимущества:

• Высокий импульсный ток: Способность выдерживать кратковременные всплески до 220A.

• Эффективное охлаждение: Металлический фланец корпуса DPAK припаивается прямо к плате.

• Низкое напряжение насыщения: Минимальные энергопотери в открытом состоянии.

• Стойкость к высоким температурам: Стабильная работа при нагревании кристалла.

• Тип устройства: IGBT (N-channel).

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 360V.

• Постоянный ток коллектора (Ic): 50A (при температуре корпуса 25 градусов).

• Импульсный ток коллектора (Icp): до 220A.

• Напряжение затвор-эмиттер (Vges): от -30V до +30V.

• Тип корпуса: TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа (SMD).

• Максимальная температура перехода: 150 градусов.