IRG7S313U — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), оптимизированный для работы в кругах с низким напряжением насыщения и сверхвысокими пиковыми токами. Он принадлежит к белому поколению (Gen7) IGBT и разработан специально для плазменных панелей и систем, где требуется мгновенная коммутация огромной энергии.

Выполнен в корпусе D2PAK (TO-263), этот транзистор предназначен для поверхностного монтажа. Его главная особенность – способность выдерживать импульсный ток до 160 А при напряжении к 330 В, что делает его незаменимым в узлах энергоемких нагрузок.

Основные сферы применения:

• Плазменные телевизоры (PDP): Силовые модули поддержки разряда (Sustain circuits).

• Мощные системы зажигания: Высокоэнергетические катушки и блоки управления.

• Импульсные преобразователи: DC-DC конвертеры с высоким пиковым потреблением.

• Электронные вспышки: Профессиональное осветительное оборудование.

• Системы защиты: Электронные разключатели для мощных аккумуляторных батарей.

Ключевые преимущества:

• Экстремальный ток: Номинальный импульсный ток 160А обеспечивает колоссальную мощность.

• Низкое напряжение насыщения: Всего 1.35 В, что минимизирует потери на обогрев.

• Высокая скорость: Оптимизированное время отключения для работы на высоких частотах.

• Корпус D2PAK: Обеспечивает отличный теплоотвод через медные слои печатной платы.

• Тип устройства: IGBT (N-channel).

• Напряжение коллектор-эмиттер: 330 В.

• Ток коллектора импульсный: 160 А (при = 25°C).

• Ток коллектора постоянный: ~20–40 А (в зависимости от охлаждения).

• Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В.

• Напряжение насыщения: 1.35 В (типово).

• Корпус: TO-263 (D2PAK).