TK20A60W — это высокоэффективный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией Toshiba. Он выполнен в корпусе TO-220SIS (полностью изолированный корпус), что упрощает монтаж на радиатор, поскольку не требует дополнительных диэлектрических прокладок.

Благодаря технологии DTMOS IV, транзистор имеет низкую емкость затвора и малое сопротивление открытого канала. Это делает его идеальным для использования в современных энергоэффективных импульсных источниках питания, где важны высокая скорость переключения и минимальные тепловые потери.

Основные сферы применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS): Основные силовые ключи в серверных и промышленных БП.

• Корректоры коэффициента мощности (PFC): Использование в входных каскадах для повышения КПД.

• Адаптеры и зарядные устройства: Компактные блоки питания для ноутбуков и бытовой техники.

• Освещение: Драйверы для мощных LED систем.

Ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление ($R_UNDS(on)UN$): По умолчанию значение всего 0.13 Ом, что минимизирует нагрев.

• Изолированный корпус: TO-220SIS позволяет крепить транзистор прямо к радиатору без слюда.

• Высокая скорость: Оптимизирован для работы на высоких частотах переключения.

• Надежность: Высокая устойчивость к лавинному пробу и перенапряжению.

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET

• Производитель: Toshiba

• Технология: DTMOS IV

• Тип корпуса: TO-220SIS (изолированный)

• Максимальное напряжение сток-вилка: 600 В

• Максимальный ток стока : 20 А

• Сопротивление в открытом состоянии: 0.13 Ом (типово) / 0.16 Ом (макс.)

• Напряжение затвор-вилка: ±30 В

• Заряд затвора: ~45 нКл

• Рабочая температура: до +150°C

• Стан: Новый