N-Channel MOSFET VDSS=200V RDS(on) max=75mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=30A

Корпус	TO247
Структура	N
Схема соединения	Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	30 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C	21 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V	75 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C	214 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	25 шт