promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
Товар недоступен - посмотрите похожие товары
Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт.
Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт.
Характеристики и описание

Пользовательские характеристики

Вес упаковки0,002 кг
Высота упаковки0,5 см
Ширина упаковки5 см
глубина упаковки8 см
Описание товара: N-MOSFET транзистор IRL540NPBF - THT - 5 шт.

N-MOSFET-транзистор с параметрами Vds 100 В, Id 36 А и сопротивлением 0,044 Ом. Модуль в корпусе ТО-220.

Товары продаются упаковками по 5 штук.
Характеристики транзистора IRL540NPBF:
  • Максимальный ток стока Id: 36 А
  • Максимальное напряжение VDSS: 100 В
  • Сопротивление канала Rdson: 0,044 Ω
  • Корпус: ТО-220

Подробности в документации.

  Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт. Ботландский магазин

Транзистор IRL540NPBF - THT N-MOSFET (продается в наборе из 5 штук) относится к категории современных полевых транзисторов, позволяющих управлять затвором низковольтными сигналами всего 2 В - благодаря этому для управления МОП-транзистором достаточно подать высокий сан с выхода микроконтроллера, питаемого напряжением 5 В (например, ATmega) или даже 3,3 В (например, ATmega). STM32 или ESP32). Эта полезная особенность отличает IRL540NPBF от обычных МОП-транзисторов с пороговым напряжением открытия затвора 4 В и более.

Еще одним существенным преимуществом транзисторов IRL540NPBF является очень низкое сопротивление цепи сток-исток в полностью открытом состоянии – типичное значение R.ДС (он)составляет всего 44 мОм, что позволяет минимизировать коммутационные потери и существенно снизить нагрев транзисторной структуры даже при работе без теплоотвода.

Другие параметры

Предлагаемый нами N-MOSFET транзистор может работать с максимальным током стока до 36 А, а максимальная рассеиваемая мощность (разумеется, при достаточно эффективном охлаждении) может достигать 140 Вт. Специальная полупроводниковая технология, используемая при производстве транзисторов серии IRL540NPBF, позволяет им работать в исключительно широком диапазоне температур – от -40 °C.oC до +175oC, что является отличным результатом, учитывая, что большинство полупроводниковых элементов могут выдерживать температуру не выше 150 °C.oС.

При проектировании схемы с использованием IRL540NPBF следует помнить, что тепловое сопротивление от структуры до корпуса составляет 1,1 Ом.oC/W, и от конструкции к окружающей среде (без радиатора) – 62oС/В.

Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт.

Недоступный
Код: 3949670105
498 
Способы оплаты
Наложенный платеж
Нова Пошта
Оплата на счет
IBAN UA473220010000026003340045448
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат