Тип: NPN Silicon Transistor (Биполярный транзистор обратной проводимости)

Корпус: TO-126 (SOT-32)

Характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер: 30V (макс. 40V)

• Постоянный ток коллектора: 3A (импульсный до 7A)

• Мощность рассеивания: 10W (с внешним радиатором)

• Коэффициент усиления (hFE): 60 - 400 (в зависимости от группы)

Особенности: Низкое напряжение насыщения, высокая эффективность в ключевых режимах.

Комплементарная пара: 2SB772 (B772)

Аналоги (взаимозаменяемость): * BD135, BD137, BD139 (D882 имеет больший ток коллектора 3А против 1.5А у BD серии, что делает его более мощным вариантом для цепей до 30В)

• 2SC2690, 2SC3279, KSD882

• MJE182