Транзистор SH1004B, - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

MOSFET-транзистор SH1004B (JMSH1004BC)

Общие параметры:

Производители / Бренд: JieJie Microelectronics (JMS)
Технологичная база: Power MOSFET Technology
Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
Постоянный ток стока Id при 25°C: 134А – 139 А (в зависимости от спецификаций кремниевого кристалла конкретной серии)
Постоянный ток стока Id при 100°C: 82А
Пиковый импульсный ток стока Idm: 464А
Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 125 Вт – 156 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.3 мОм – 3.7 мОм
Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.2 мОм
Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th) типичное: 2.7 В (диапазон 2.0...4.0 В)
Полный заряд затвора Qg: 57 нКл
Входная емкость Ciss: 3433 пФ
Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 231 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

Тепловые параметры и эксплуатация:

Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
Тепловые свойства: Корпус обеспечивает стабильную передачу тепла на радиатор при значительных коммутационных перегрузках

Область применения и использования:

Основное назначение: Высокомощный коммутационный ключ низкого и среднего напряжения для высоконагруженных каскадов с жесткими режимами работы.
Совместимые устройства: Автомобильные и бытовые инверторы напряжения 12/24/48В, современные источники бесперебойного питания, зарядные станции, контроллеры электротранспорта.
Системы управления: Высокочастотные блоки питания, схемы активного синхронного выпрямления тока, ШИМ-регуляторы мощности тяжелых двигателей постоянного тока и платы защиты аккумуляторов.

SH1004B Datasheet скачать