•
•
•
•
•
•
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Характеристики и описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Готово к отправке
27.2 ₴
34 ₴
-20%
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
1 677 ₴
2 070 ₴
-19%
1 415 ₴
1 790 ₴
-21%
1 560 ₴
1 950 ₴
-20%
Смотрите также
Новинки в категории микросхемы
Любимые товары покупателей
Чат